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精选优质文档-倾情为你奉上PN7013-2芯片测试报告-2012-12-15-孙国栋1测试信息芯片名称:PN7013-2对比芯片名称:IRS2113芯片特点描述:1. PN7013-2:电容采用积累方案,拉灌电流指标为2A, pad顺序与IRS2113相同,封装形式:16 lead DIP2. IRS2113:目标芯片,封装形式:14 lead DIP。测试目的:1. 从误关断角度考核PN7013-2的抗dv/dt能力。2. 与目标芯片做对比。测试结论:1. 母线电压分别为50V,75V,100V时两款芯片测试现象一致均为误开启。2. 两款芯片均在母线电压为110V时发生了误关断此时PN7013-2 dv/dt约为16V/ns,IRS2113约为12V/ns。测试结果:ParameterPN7013-2IRS2113母线电压(V)dv/dt(V/ns)是否误关断dv/dt(V/ns)是否误关断501.3否2.4否756.2否6.5
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