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精选优质文档-倾情为你奉上CVD法制备硫化钼薄膜1、 实验目的。（1）掌握CVD的基本原理；（2）熟悉管式炉的操作过程；（3）制备硫化钼薄膜；二、实验原理。气相反应物中生长晶体的复相物理-化学过程。第一步：气体传输至沉积区域。第二步：膜前驱体的形成与输运。第三步：膜前驱体的粘附与扩散。第四步：表面反应，导致膜沉积于副产物的形成。第五步：副产物的移除（表面和反应腔）。三、实验步骤。（1）称量。分别取足量的硫粉，称取约5mg的MoCl5于陶瓷舟中，并取干净的蓝宝石片。（2）放置前驱体。将装有硫粉的陶瓷舟摆放于距进气口约15cm处，装有MoCl5的陶瓷舟置于管式炉中心位置，盛有蓝宝石的石英舟紧挨着MoCl5摆放于出气口一侧。（3）清洗。抽真空，并通入氩气清洗管式炉，反复两次。（4）设置参数。设置好管式炉参数。27min升温至850，并保温12min，然后自然冷却。加热带温度为120。气流量为50sccm。炉压保持在60Pa。（5）反应。管式炉工作后12min，加热带开始给硫加热。（6）实验结束
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