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精选优质文档-倾情为你奉上2.2 TTL逻辑门电路在第一章中讨论过由二极管构成的与门和或门。由于实际的二极管并不是理想的，正向导通时存在压降（硅管均为0.7V），所以低电平信号经过一级与门后，其电平将升高0.7V；高电平信号每经过一级或门其电平将下降0.7V。也就是说由二极管构成的与门和或门均不能用以构成实用的逻辑电路。为克服二极管门电路的上述缺点，可采用具有反相放大特性的三极管来构成门电路，即 TTL门电路。在讨论TTL门电路之前，先简要回顾三极管反相器的基本特性。一、三极管反相器1. 三极管的开关特性图2-10为基本的三极管电路及其输出特性。该输出特性可划分成三个区截止区、饱和区和放大区。 图2-10 三极管反相器截止区 发射结与集电结均反偏， ， ， ， 。此时三极管的三个电极如同断开一样，其等效电路如图2-11（a）所示。饱和区 发射结与集电结均正偏，此时C、E间的电压称为极电极饱和压降 。硅管的约为0.1V0.3V。 几乎不随 的变化而变化。饱和条件可用 来描述。而 表示管子的包和深度。三极管饱和时的
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