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精选优质文档-倾情为你奉上实验三 四探针法测量半导体电阻率、薄层电阻一. 实验目的与意义电阻率是半导体材料的重要电学参数，它能反映半导体内浅能级替位杂质的浓度。薄层电阻是用来表征半导体掺杂浓度的一个重要工艺参数，也可用来表示半导体薄膜的导电性。测量电阻率和薄层电阻的方法有很多种，如二探针法、扩展电阻法等。而四探针法是目前广泛采用的标准方法，它具有操作方便，精度较高，对样品的几何形状无严格要求等优点。本实验的目的是使学生掌握四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻原理、方法；熟悉四探针测试仪；并能针对半导体样品的不同几何尺寸进行测量数值的修正。二. 实验原理设样品电阻率均匀，样品几何尺寸相对于探针间的距离可看成半无穷大。引入点电流源的探针其电流强度为I，则所产生的电力线有球面对称性，即等位面是以点电流源为中心的半球面，如图3-1所示。在以r为半径的半球上，电流密度j的分布是均匀的。图3-1 探针与被测样品接触点的电流分布 （3-1）若E为r处的电场强度，则 (3-2)取r为无穷远处的电位为零，并利用 ，则有：
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