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《集成电路制造工艺与工程应用》第三章ppt课件.pptx

1 集成电路制造工艺与工程应用讲义 2018/09/28 3 介绍工艺集成: PN结隔离技术 LOCOS(硅局部氧化)隔离技术 STI(浅沟槽)隔离技术2 集成电路制造工艺与工程应用讲义 2018/09/28 隔离技术 半导体集成电路是通过平面工艺技术把成千上万颗不同的器件制造在一块面积非常小的半导体硅片上,并 按要求通过金属将它们连接在一起,形成具有一定功能的电路。隔离技术是工艺制程技术的关键,它决定 了集成电路的性能和集成度。 a) PN结隔离技术。 b) LOCOS隔离技术。 c) STI隔离技术。3 集成电路制造工艺与工程应用讲义 2018/09/28 PN 结隔离技术 PN结隔离技术,它是利用PN结反向偏置时呈高电阻性,来达到相互绝缘隔离的目的。 双极型工艺制程技术的流程。 a) 第一步、准备p型衬底硅(P-type-Substrate P-sub); b) 第二步、形成n型埋层(N-type-Burrier-Layer NBL); c) 第三步、生长n型外延层(N-type-Epitaxy N-EPI); d) 第四步、形成PW保护环隔离; e) 第五步、形成重掺杂NW(N

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