(3)(4)例题结论：例. 室温下,本征锗的电阻率为47，(1)试求本征载流子浓度。 (2)若掺入锑杂质，使每10 6 个锗中有一个杂质原子，计算室温下 电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4/ 3,n=3600/Vs且不随掺杂而变化. 解:Chapter 3 Recombination-Generation Processes（复合-产生过程） 产生率G Generation rate： 单位时间和单位体积内所产生的电子-空穴对数 复合率R Recombination rate ： 单位时间和单位体积内复合掉的电子-空穴对数 产生 复合 注入 非简并半导体处于热平衡状态时，体内电子和空 穴浓度为n 0 和p 0 ，它们之间的关系是 3.1 非平衡载流子的产生与复合（ noneguilibrium carriers G-R ）如果在外界作用下，平衡条件破坏，就偏离了上式决 定的热平衡状态即称为非平衡状态。载流子浓度为n 、p： 外界作用 外界作用 外界作用使半导体中产生非平衡载流子的过程叫非平衡载 流子的注入。 过剩载流子(excess carries)外界作用 光 照
