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通信与电子工程学院 第三章 第三章 硅的 硅的 氧化 氧化 v绪论 vSiO 2 的结构和性质 vSiO2的掩蔽作用 v硅的热氧化生长动力学 v决定氧化速度常数和影响氧化速率的各种因素 v热氧化过程中的杂质再分布 v初始氧化阶段以及薄氧化层的生长 vSi- SiO 2 界面特性 下一页通信与电子工程学院 二氧化硅是上帝赐给 二氧化硅是上帝赐给 IC IC 的材料。 的材料。通信与电子工程学院 Introduction Introduction v 硅易氧化 几个原子层厚，1nm左右 氧化膜化学性质稳定，绝缘性好 v SiO2的存在形态 晶体：石英、水晶等 石英砂，主要成分为SiO 2 ，为制备硅原料的核心材料 非晶体：玻璃等（热氧化方法制备的SiO 2 ）通信与电子工程学院 v在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作 为器件的组成部分 v作为集成电路的隔离介质材料 v作为电容器的绝缘介质材料 v作为多层金属互连层之间的介质材料 v作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 v扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、 Si 3 N 4 层一起使用)阻挡层 SiO SiO 2 2 的作用
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