温馨提示：由于个人手机设置不同，如果发现不能下载，请复制以下地址【https://www.wenke99.com/d-9334784.html】到电脑端继续下载（重复下载不扣费）。
1: 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。 2: 试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。 3: 文件的所有权益归上传用户所有。 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。 5. 本站仅提供交流平台，并不能对任何下载内容负责。 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
本文（半导体材料第9讲-III-V族化合物半导体的外延生长ppt课件.ppt）为本站会员（晟***）主动上传，文客久久仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私，请立即通知文客久久（发送邮件至hr@wenke99.com或直接QQ联系客服），我们立即给予删除！
半导体材料 III-V 族化合物半导体的外延生长第七章 III-V 族化合物半导体的外延生长 l 内容提要： l 气相外延生长VPE 卤化物法 氢化物法 金属有机物气相外延生长MOVPE l 液相外延生长LPE l 分子束外延生长MBE气相外延生长 l 气相外延生长(vaporphaseepitaxy,VPE) 发展较早，主要有以下三种方法： l 卤化物法(Ga/AsCl 3 /H 2 体系) l 氢化物法(Ga/HCl/AsH 3 /H 2 体系) l 金属有机外延法卤化物法外延生长GaAs l Ga/AsCl 3 /H 2 体系气相外延原理及操作 l 高纯H 2 经过AsCl 3 鼓泡器，把AsCl 3 蒸气携带入反应室中，它们在 300500 的低温就发生还原反应， 4AsCl 3 + 6H 2 = As 4 + 12 HCl l 生成的As 4 和HCI 被H 2 带入高温区(850 ) 的Ga 源( 也称源区) 处，As 4 便溶入Ga 中形成GaAs 的Ga 溶液，直到Ga 饱和以前，As 4 不流向后方 。 4Ga + xAs 4 = 4GaAsx ( x1 ) l 而H
Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved
工信部备案号：浙ICP备20026746号-2
公安局备案号：浙公网安备33038302330469号
本站为C2C交文档易平台，即用户上传的文档直接卖给下载用户，本站只是网络服务中间平台，所有原创文档下载所得归上传人所有，若您发现上传作品侵犯了您的权利，请立刻联系网站客服并提供证据，平台将在3个工作日内予以改正。
