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微电子工艺学 Microelectronic Processing 第四章掺杂原理与技术 张道礼 教授 Email: zhang- Voice: 87542894掺杂(doping):将一定数量和一定种类的杂质 掺入硅中,并获得精确的杂质分布形状(doping profile)。 掺杂应用:MOSFET:阱、栅、源/漏、沟道等 BJT:基极、发射极、集电极等 BEC p p n+ n- p+ p+ n+ n+ BJT pwell NMOS 4.1 掺杂基本概念:结深 x j (Junction Depth);薄层电阻 R s (Sheet Resistance );杂质固溶度(Solubility) 4.1 掺杂 目的:改变晶片电学性质,实现器件和电路纵向结构。 方式:扩散(diffusion)、离子注入(ion implantation) 、合金、中子嬗变。高温扩散:一直到20世纪70年代,杂质掺杂主要是由 高温的扩散方式来完成,杂质原子通过气相源或掺杂 过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面,这些杂质浓 度将从表面到体内单调下降,而杂质分布主要是由高 温与扩散时间来决定。 离子注入:掺
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