精选优质文档-倾情为你奉上MOS管的几种效应1 沟道长度调制效应（channel length modulation）MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。2 漏极导致势垒下降（drain induced barrier lowering）当在MOS管的漏极加电压时，漏极和衬底构成的pn结，漏极一侧会出现正电荷堆积，相应的，衬底一侧会感应出负电荷，这些负电荷有助于沟道的形成，因此导致开启电压相对减小，这种效应称为漏极导致势垒下降。3 衬底电流体效应(substrate current body effect)类似我们常说的雪崩倍增效应。先讲热电子，所谓热电子，是指电子在两次散射间获得的能量将可能超过它在散射中失去的能量，从而使一部分电子的能量显著高于热平衡时的平均动能而成为热电子。当在MOS管的漏极加很高的电压，形成强电场的情况下，衬底
