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铜箔晶核形成及生长过程的测评(共6页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上铜箔晶核形成及生长过程的测评Ye-Kun Lee & Thomas J.OKeefe本文主要讨论生箔生产时的电沉积过程。由于电解液添加剂在电沉积过程中扮演着重要角色,因此针对两种主要添加剂(氯离子,明胶)在电解过程中的作用进行阐述。对晶核形成及生长过程中其他的影响因素也进行了讨论。铜箔晶核的形成与生长总体来说,电解铜箔的大部分性能特性决定于电沉积过程中。铜箔电解过程相对于标准铜电析,铜的电精炼最大的区别在于其大电流密度的使用。影响铜箔特性的参数包括:温度,电流密度,流量,电解液的洁净程度,阴极辊的表面状况,极距,铜离子、硫酸根离子、氯离子以及有机添加剂的浓度。在这些因素中氯离子浓度,有机添加剂的浓度是较为重要的两个参数,它们直接促进,控制着晶核的生长。本试验采用1.25cm*1.25cm的钛片作为阴极,并将其固定在环氧树脂板上。电解液中Cu2+浓度为83g/L,H2SO4为140g/L.使用一块矩形阳极浸入电解液中。晶核的最初形成铜电沉积的晶核形成密度取决于电位,搅拌率或电解液流量,这些重要因素可确保电沉积过程是在活化

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