第九章 51 单片机外设扩展 一、外部RAM 扩展 二、总线控制字符液晶1602 三、外部键盘的扩展一、外部RAM 扩展1 、静态RAM 存储芯片2 、静态RAM 总线3 、静态RAM 控制总线 CE 、CS 、WE 、OE 为控制总线，它们的定义为： CS （chip enable ）：片选信号2 ，在读/ 写方式时为高电平。 CE （chip enable ）：片选信号1 ，在读/ 写方式时为低电平。 WE （write enable ）：写允许信号，低电平有效。 OE （output enable ）：读出允许信号，低电平有效。4 、电路设计方案 （1 ）锁存器74373（2 ）地址总线和数据总线的连接（3 ）控制总线的连接方式 （4 ）对外部RAM 的寻址范围5 、外部数据寻址指令 （1 ）汇编语言指令 对外部RAM 单元只能使用间接寻址的方式，可以分别使用DPTR 、R0 或R1 作间接寄存器，因此相应的指令有两组： 使用DPTR 进行间接寻址 MOVX A,DPTR MOVX DPTR,A 因为DPTR 是16 位地址指针，因此该指令的寻址范围可达64K 。 使用R0 或R
