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第二 第二 单元 单元 氧化与掺杂 氧化与掺杂 1第3章 热氧化 3.1二氧化硅薄膜概述 3.2 硅的热氧化 3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 3.4 热氧化过程中杂质再分布 3.5 氧化层的质量及检测 3.6 热氧化技术及其工艺展望 23.1 二氧化硅薄膜概述 3 3.1.1二氧化硅结构 石英 非晶SiO 2 桥联氧 非桥联氧硅表面热氧化层TEM照片 4 Si SiO 23.1.2二氧化硅的性质及用途 5 性质 石英晶体 非晶SiO2薄膜 注 密度(g/cm 3 ) 2.2 22.2 致密程度的标志。密度大表示致 密程度高 熔点 ( ) 1732 1500软化 软化点与致密度、掺杂有关 电阻率(cm) 10 16 10 7 10 15 工艺温度越高电阻率越大 介电常数 3.9 3.9 介电强度(V/m) 1000 1001000 与致密度 折射率 1.331.37 腐蚀性 与HF酸、强碱反应缓慢 与致密度、掺杂有关 二氧化硅主要性质二氧化硅薄膜的用途 6 掺杂掩蔽膜 芯片的钝化与保护膜 SiO 2 电隔离膜 元器件的组成部分3.1.3 二氧化硅薄膜中的杂质 7 Na 2 O+ Si
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