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原子层沉积培训 公共技术平台 2014-8-29 赵华波培训类容 ALD技术原理介绍 ALD的特点及应用 ALD的工艺流程单原子层沉积（atomic layer deposition，ALD），起初称为原子层外延 (Atomic Layer Epitaxy)；最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料 ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。 由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低的沉积速度，直至上世纪80 年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。 但是到了20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主 要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断 降低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用材料的厚度降低至几个 纳米数量级。因此原子层沉积技术的优势就体现出来，如单原子层逐次 沉积，沉积层极均匀的厚度和优异的一致性等就体现出来，而沉积速度 慢的问题就不重要了。 前言典型的ALD沉积过程Al 2 O 3 沉积过程典型的ALD沉积过程TiO 2 沉积过程ALD设备示意图ALD技术的主要优势 前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的
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