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第十三章 -族多晶薄膜太阳电池材料 一、引言 化合物半导体太阳能电池采用直接由原材料到太 阳能电池的工艺路线，发展了薄膜太阳能技术 。特点：高效率、低成本、大规模生产化。 化合物半导体薄膜太阳能电池主要类型有： CdTe系太阳能电池、CuInSe 2 系列太阳能电池 、CdS/CuInSe 2 太阳能电池 、GaAs系列太阳 能电池、InP系列太阳能电池。二、材料性质 1、CdTe薄膜材料性质 1）结构性质 CdTe是- 族化合物，是直接带隙材料，带隙为 1.45eV。光谱响应与太阳光谱十分吻合。具有闪 锌矿结构。 CdTe太阳电池转换效率在7.7%16.0%之间，CdTe 薄膜太阳电池面积已达到6879cm 2 。 红：640780nm； 橙：640610nm; 黄：610530nm； 绿：505525nm； 蓝：505470nm； 紫：470380nm。2）光学性质 光吸收系数大，厚度为1um的薄膜可吸收大于 CdTe禁带辐射能量的99%。 CdTe膜越薄，吸收系数越高，带边与膜厚度 无关； 薄膜的吸收系数与生长温度有关； 沉积速率增加，薄膜吸收系数变化不大，且所 有薄膜有相同的吸
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