CMOS模拟集成电路设计第5章—电流镜ppt课件.ppt

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CMOS 模拟集成电路设计 电流镜 Date 1 电流镜提纲 1 、基本电流镜 2 、共源共栅电流镜 3 、电流镜作负载的差动对 Date 2 电流镜Review :MOS 电流源 处于饱和区的MOS 管可以作为一种电流源 Date 3 电流镜1 、基本电流镜 电流源的设计是基于对基准电流的“ 复制” ; 两个都工作在饱和区且具有相等栅源电压的相同晶体管传 输相同的电流(忽略沟道长度调制效应)。 2021/12/30 4 基本电流镜 按比例复制电流 (忽略沟道长度调制效应) 得到 该电路可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响 ;I out 与I REF 的比值由器件尺寸的比率决定。 忽略沟道长度调制效应! 2021/12/30 5 基本电流镜 例子: 实际设计中,所有晶体管采用相同 的栅长,以减小由于源漏区边缘扩 散所产生的误差。 采用叉指结构。 如图,每个叉指的W 为50.1m ,则 M 1 和M 2 的实际的W 为: W 1 50.1m, W 2 4(50.1)m 则I OUT /I REF = 4(50.1)/ (50.1)=4 4 I REF I OUT 版图设计 请同学们思

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