第3章 CMOS反相器的分析与设计第3章 CMOS反相器的分析与设计 3.1 CMOS 反相器的结构和基本特性 3.2 CMOS 反相器的直流特性 3.3 CMOS 反相器的瞬态特性 3.4 CMOS 反相器的设计 23.1 CMOS反相器的结构和基本特性 NMOS 管的衬底接地， PMOS 管的衬底接V DD 。 输入端栅极 输出端？极 如何判断分析器中NMOS 和PMOS 器件的源漏区？ 是否有衬偏效应？ 34 CMOS Inverter 特点： V in 作为PMOS 和NMOS 的共栅极 ； V out 作为共漏极； V DD 作为PMOS 的源极和体端； GND 作为NMOS 的源极和体端 V V in out 反相器的逻辑符号3.1 CMOS反相器的结构和基本特性 若输入为“1”(V in = V DD ) ： V GSN = V DD ， V GSP = 0V NMOS 导通，PMOS 截止 输出“0” (V out = 0V) 53.1 CMOS反相器的结构和基本特性 若输入为“0”(V in = 0V) ： V GSN = 0V ， V GSP = V DD NMOS
