LOGO 低频下 高频下 相对介电系数和介质损角正切的测量 极低频下 超高频下 电容器高频参数及频率特性的测量 第二章 电容与介质损耗角正切的测量高频下相对介电系数和介质损耗角 正切的测量LOGO 高频下相对介电系数和介质损耗角正切的测量 频率增高 电阻臂电 感、电容 桥臂间杂 散电容 影响严重 普通电桥 测试误差 加大甚至 不能测试 特殊电桥 谐振法 集中参数谐振 (一般高频) 分布参数谐振 (特高频) 双T 电桥一、双T电桥 v1.原理 v2.能用于高频测量的原因一、双T电桥 1.双T电桥的原理 两个并联的T型网络 T T 平衡条件：I 0 +I 0 =0 即C，D等电位， 因此电路可等效如图： I 0 I 0 四端网络一、双T电桥 回路总电流 并联支路电压 I 0 同样可得： 所以：一、双T电桥 因此，可以根据上式，在Z 2 (或Z 2 ) 上并联被测电容，用替代法两次测 量可以确定被测电容容值和损耗角 正切值。 Z 2 或Z 2 并联 被测电容一、双T电桥 Z 1 ，Z 3 为电容C Z 2 为辅助线圈 和标准可调电 容C 2 Z 1 为电容C 1 Z 3 为无感电阻R Z 2
