7.5 磁记录薄膜和光存储薄膜 报告人：赵定武7.5.1 复合磁头和薄膜磁头 7.5.2 磁记录介质薄膜及制造技术 7.5.3 光存储介质概况 7.5.4 磁光存储和相变光存储 磁性存储技术在现代技术中举足轻重。由于磁 信号的记录密度在很大程度上取决于磁头缝隙的宽 度、磁头的飞行高度以及记录介质厚度，因此就需 要不断减小磁头体积和磁记录介质厚度。薄膜自身 饱和磁化强度较高，允许采用的磁性介质厚度更小 ，性质也更均匀，因此薄膜磁头材料和薄膜磁存储 介质是发展的主要方向之一。 对于磁头材料，需要其具有典型的软磁特性，即 饱和磁化强度高，矫顽力低，磁导率高，磁致伸 缩系数低，允许使用频率高。 对于磁记录介质，要求其具有典型的硬磁性能， 即饱和磁化强度高，剩余磁感应强度高及适当的 矫顽力水平。通常的磁头使用的是高导 磁率的烧结铁氧体，具有 很好的软磁性能和耐磨性 ，电阻率高，高频性好。 但磁化强度远远低于合金 软磁材料。如右表。 为进一步提高磁头性能， 一方面可采用电镀、溅射 、蒸发等方法，在上述磁 头间隙处沉积一层厚度为 几微米的软磁性能较好的 合金薄膜；另一方面完全 采用薄膜技术，将磁性材
