1 第四章 薄膜的化学气相沉积 (Chemicalvapordeposition)2 第一节 化学气相沉积反应的类型 第二节 化学气相沉积过程的热力学 第三节 气体的输运特性 第四节 化学气相沉积装置 第五节 SolGel工艺技术 3 简 介 化学气相沉积 （chemical vapor deposition, CVD） 利用气态 的先驱 反应 物，通过 原子、分子 间 化学反应 的途径生成固态 薄膜的技术 。4 应用范围包括： 1.固体电 子器件、光电 子器件所需的各种薄 膜； 2.轴 承和工具的耐磨涂层 ； 3.发动 机或核反应 堆部件的调 温防护 涂层 等。 在高质 量的半导 体晶体外延(epitaxy) 技术 以及各种绝缘 材料薄膜的制备 中大量使用 化学气相沉积 技术 。5 1. 可以用于各种高纯 晶态 、非晶态 的 金属、半导 体、化合物薄膜的制备 ； 2. 可以有效地控制薄膜的化学成分； 3. 低的设备 和运转 成本； 4. 与其他相关工艺 具有较 好的相容性 等。 优点：6 第一节 化学气相沉积 所涉及的化学 反应类 型 一、热 解反应 二、还 原反应 三、氧化反应 四
