第四章 半导体激光器半导体的能带和产生受激辐射的条件 1.在一个具有N个粒子相互作用的晶体中，每一个能级会分裂成为N个能级，因此 这彼此十分接近的N个能级好象形成一个连续的带，称之为能带，见图(5-23)。 固体的能带 2. 纯净(本征)半导体材料，如单晶硅、锗等，在绝对温度为零的理想状态下，能 带由一个充满电子的价带和一个完全没有电子的导带组成，如图(5-24)。 本征半导体的能带 3.热平衡时，电子在能带中的分布不再服从玻尔兹曼分布，而服从费米分布，能 级E被电子占据的几率为 半导体的能带和产生受激辐射的条件 1.杂质半导体中费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度有密切关系。为了说明问 题，图(5-25)给 出了温度极低时 的情况。 2.在半导体中产生光放大的条件是在半导体中存在双简并能带，并且入射光的频 率满足 费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系PN结和粒子数反转 1. P-N 结的双简并能带结构 把P型和N型半导体制作在一起，是否可能在结区产生两个费米能级呢？ 未加电场时，P区和N区的费米能级必然达到同一水平，如图(5-26)。 PN能带 在P-N结上加以正向电压V时，形成结区
