半导体材料 外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层。薄膜制备技术 1物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD） 2化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD） 3氧化法（高压氧化法） 4电镀法 5涂敷、沉淀法 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体 生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应 用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所 有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体， 半导体，或者介电材料，都可以沉积。 在目前的VLSI及ULSI生产过程中，除了 某些材料还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金及 钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。物理气相淀积(PVD) 蒸发：在真空系统中，金属原子获得足够的 能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽 原子，淀积在晶片上。按照能量来源的不同 ，有灯丝加热蒸发和电子束蒸发两种 溅射：真空系统中充入惰性气体，在高压电 场作用下，气体放电形成的离子被强电场加 速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到 晶片上化学气相沉积（CVD）也称为气相外延 （Vaporphase epitaxy，V
