第七章 金属和半导体的接触 Metal-Semiconductor Contact7.1 7.1 金属 金属 - - 半导体接触和能带图 半导体接触和能带图 7.2 7.2 金 金 - - 半接触整流理论 半接触整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 1、金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触，阻挡层与 反阻挡层的形成； 2、肖特基接触的电流电压特性扩散理论和热电子发 射理论，即肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性。 两个要点： 功函数和禁带宽度的不同金属/半导体接触能带图的变化； 肖特基接触的整流特性即电流电压I-V特性。一、金属和半导体的功函数W m 、 W s 1、金属的功函数W m 电子由金属内部逸出到表面外的真空中所需 要的最小能量。 E 0 (E F ) m W m E 0 为真空中电子的能量 ，又称为真空能级。 金属铯Cs的功函数最低1.93eV，Pt最高为5.36eV 6.1 金属-半导体接触和能带图2、半导体的功函数W s E 0 与费米能级之差称为半导 体的功函数。 用表示从E c 到E 0 的能量间隔： 称为电子的亲和能，它表示要使半导体导带 底的电子逸
