三、薄膜形成 大规模集成电路制造工艺 1硅基材料 2 SiO 2 与Si之间完美的界面特性是成就硅时代 的主要原因。 SiO 2 ：栅绝缘层材料/绝缘/介质材料； Si 3 N 4 ：介质材料，用作钝化/掩蔽等； 多晶硅：可以掺杂，导电； 金属硅化物：导电，作为接触和互连 硅工艺中薄膜材料: SiO 2 与Si之间界面 3 SiO 2 Si TEM: Transmission Electron MicroscopeSiO 2 的基本性质 4 热氧化生长的SiO 2 是非晶的 熔点：1732 C (晶体结构) 质量密度：2.21 g/cm 3 分子密度：2.210 22 个/cm 3 折射率 n=1.46 相对介电常数 3.9SiO 2 的基本性质 5 可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移 可以作为多数杂质掺杂的掩蔽 (B, P, As) 优秀的绝缘性能 ( 10 16 cm, E g 9eV) 很高的击穿电场 (10 7 V/cm) 电学性能稳定 稳定、可重复制造的Si/ SiO 2 界面SiO 2 的结构 6 由Si-O四面体组成： 四面体中心是硅原子, 四个顶角上是氧原子 ;SiO
