第二章 硅氧化 微电子技术工艺原理 微电子技术工艺原理 谢 生 天津大学电子信息工程学院 电子科学与技术系 Xie_ 第26教学楼D区431室 第二章 硅氧化 微电子技术工艺原理 教学大纲 概述 第一章 晶体生长 第二章 硅氧化 第三章 扩散 第四章 离子注入 第五章 扩散淀积 第六章 外延 第八章 光刻 第九章 金属化 第十章 工艺集成第二章 硅氧化 微电子技术工艺原理 Contents Thermal oxidation process used to form Silicon dioxide (SiO 2 ) Impurity redistribution during oxidation Material properties and thickness measurement techniques for SiO 2 films 第二章 硅氧化 微电子技术工艺原理 Thin films used in fabrication of devices and ICs u Thermal oxides u dielectric layers u polycrystalline si
