半导体中的电子状态习题(共25页).doc

上传人:晟*** 文档编号:10018530 上传时间:2021-12-31 格式:DOC 页数:22 大小:159.50KB
下载 相关 举报
半导体中的电子状态习题(共25页).doc_第1页
第1页 / 共22页
半导体中的电子状态习题(共25页).doc_第2页
第2页 / 共22页
半导体中的电子状态习题(共25页).doc_第3页
第3页 / 共22页
半导体中的电子状态习题(共25页).doc_第4页
第4页 / 共22页
半导体中的电子状态习题(共25页).doc_第5页
第5页 / 共22页
点击查看更多>>
资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上第一篇 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 解:在一定温度下,价带电子获得足够的能量(Eg)被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高,则禁带宽度变窄,跃迁所需的能量变小,将会有更多的电子被激发到导带中。1-2、 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。解:电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带,即允带和禁带。温度升高,则电子的共有化运动加剧,导致允带进一步分裂、变宽;允带变宽,则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之,温度降低,将导致禁带变宽。因此,Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。1-3、 试指出空穴的主要特征。解:空穴是未被电子占据的空量子态,被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态,是准粒子。主要特征如下:A、荷正电:+q;B、空穴浓度表示为p(电子浓度表示为n);C、EP=-EnD、mP*=-mn*。1-4、 简述Ge、Si和GaAS的能带结构

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 实用文档资料库 > 公文范文

Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved

工信部备案号浙ICP备20026746号-2  

公安局备案号:浙公网安备33038302330469号

本站为C2C交文档易平台,即用户上传的文档直接卖给下载用户,本站只是网络服务中间平台,所有原创文档下载所得归上传人所有,若您发现上传作品侵犯了您的权利,请立刻联系网站客服并提供证据,平台将在3个工作日内予以改正。