精选优质文档-倾情为你奉上第5章 非平衡载流子1. 一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm-3，已知空穴寿命为100ms，计算空穴的复合率。解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀吸收，产生额外载流子，产生率为gp，空穴寿命为t，请写出光照开始阶段额外载流子密度随时间变化所满足的方程；求出光照下达到稳定状态时的额外载流子密度。解：光照下，额外载流子密度Dn=Dp，其值在光照的开始阶段随时间的变化决定于产生和复合两种过程，因此，额外载流子密度随时间变化所满足的方程由产生率gp和复合率U的代数和构成，即稳定时额外载流子密度不再随时间变化，即，于是由上式得3. 有一块n型硅样品，额外载流子寿命是1ms，无光照时的电阻率是10Wcm。今用光照射该样品，光被半导体均匀吸收，电子-空穴对的产生率是1022/cm3s，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多大比例？解：光照被均匀吸收后产生的稳定额外载流子密度取，则额
