半导体材料 第2章 硅锗的区熔提纯 区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料，高纯 金属的重要方法。区熔提纯的目的 区熔提纯的目的： 得到半导体级纯度（ 得到半导体级纯度（ 9 9 到 到 10 10 个 个 9 9 ）的硅，为进一步 ）的硅，为进一步 晶体生长作准备 晶体生长作准备2-1 2-1 分凝现象与分凝系数 分凝现象与分凝系数 211 分凝现象（偏析现象） 含量少的杂质在晶体和熔体中的浓度不同 含量少的杂质在晶体和熔体中的浓度不同 分凝系数 分凝系数 : : 用来衡量杂质在固相和液相中浓度的不同 用来衡量杂质在固相和液相中浓度的不同一 平衡分凝系数K 0 平衡分凝系数（适用于假定固相和液相达到 平衡分凝系数（适用于假定固相和液相达到 平衡时的情况） 平衡时的情况） K 0 =Cs/ =Cs/ Cl Cl 212平衡分凝系数和有效分凝系数 Cs: Cs: 杂质在固相晶体中的浓度 杂质在固相晶体中的浓度 Cl Cl : : 杂质在液相熔体中的浓度 杂质在液相熔体中的浓度 (1) T=T L -T m 0(T L 体系平衡熔点；T m 纯组分 熔点
