同济大学模拟电子技术期末试卷(二)(共4页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上同济大学模拟电子技术期中试卷前六章基础内容一、选择题。 （每题3分，共36分）1.在本征半导体中，电子浓度_空穴浓度。A.大于 B.小于 C.等于 D.不定2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_。A.饱和状态. B.放大状态 C.截止状态 D.倒置状态3.共模抑制比是_之比.A差模输入信号与共模输入信号B输出量中差模成分与共模成分C差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)D交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)4.差动放大电路的主要优点是 。A、稳定的放大性能 B、较高的输入电阻C、能有效地抑制零点漂移 D、有稳定地静态工作点5.稳压管的稳压区是工作在_。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区6.二极管两端地反向偏置