5.2 晶体管高频等效电路 射频集成电路主要工艺 双极（Bipolar） 砷化钾 GaAs最高频率达到10050GHz 超高速微电子学和光电子学 CMOS 噪声低、线性好、与数字集成电路兼容 3GHz以上 工艺技术 截止频率 (GHZ) Bipolar 25 50 BiCMOS 10 20 SiGe HBT 40 - 80描述晶体管的两种模型 特点：模型中的每个参数均对应一定的物理意义 适用的频率范围较宽 举例：混合 型模型 1. 物理模型等效电路模型 2. 网络模型 特点：把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数 适用于特定频率、线性参数 举例：S参数 注意：应用不同的模型，分析设计低噪放的方法不同 本章重点用晶体管的混合 型模型分析、设计低噪放共射放大器原理图 基极偏置V BEQ 集电极电源 V CC 负载电阻 R L 共同决定工作点Q 决定基极偏置电流 I BQ、 I CQ 5.2.1 双极型晶体管共射小信号等效电路 当 ( ) 时 ，晶体管可用其等效电路代替 输入信号为 , 求输出电流混合 型等效电路 理解电路中各元件的物理意义 从两个层次上加强对等效电路的理解 理解晶体管
