第八章 pn 结二极管第八章pn 结二极管 8.1 pn 结二极管的I-V 特性 8.2 pn 结的小信号模型 8.3 产生- 复合流（与理想I-V 特性的偏离） 8.4 pn 结的击穿 8.5 pn 结的瞬态特性 8.6 隧道二极管8.1 pn 结电流 将二极管电流和器件内部的工作机理，器件参数 之间建立定性和定量的关系。 1. 定性推导： 分析过程，处理方法 2. 定量推导： 建立理想模型- 写少子扩散方 程，边界条件- 求解 少子分布函数- 求扩散电流- 结果分析。 3. 分析实际与理想公式的偏差，造成偏差的原因0 偏 正偏 反偏1. 热平衡状态 电子从n 区扩散到p 区需有足够 的能量克服“ 势垒” 。只有少数高 能量的电子能越过势垒到达P 区 ，形成扩散流。 P 区的电子到达n 区不存在势垒 ，但是少子，少数电子一旦进 入耗尽层，内建电场就将其扫 进n 区，形成漂移流。 热平衡：电子的扩散流= 漂移流 空穴的情况与电子类似 8.1 pn 结电流2. 加正偏电压 势垒高度降低， n 型一侧有更多的 电子越过势垒进入p 区，形成净电 子扩散电流I N ， 同理可分析空穴形 成扩散
