半导体材料 二元-族化合物的制备及其特征 6-1 -族化合物半导体的特性 回忆: 硅的晶体结构;如何形成 6-1-1 -族化合物半导体的晶体结构 v-族化合物半导体: 闪锌矿结构 v两套面心立方格子沿体对角线移动1/4长度套 构而成.闪锌矿结构 立方晶系 面心立方格子 GaAs纤锌矿晶体结构 六方晶系 简单六方格子 GaN,InN,BN6-1-2 -族化合物半导体的能带结构 锗和硅的能带结构 锗和硅的能带结构 Ge 0.67 eV Si 1.12 eV 1.GaAs的能带结构vIII-V族化合物半导体 GaAs 1.43 eVGaAs 能带结构与Si、 Ge 能带结构相比，特点如下： 1. GaAs 的导带极小值与价带极大值都在K0，这 种能带结构叫做直接跃迁型；而Si、 Ge 的极大和 极小值所在的K值不同，这种能带结构叫做间接跃迁 型。 2. GaAs 在方向上具有双能谷能带结构，即除 k0处有极小值外，在方向边缘上存在另一个 导带极小值，比中心极小值仅高0.36eV。因此电子 具有主次两个能谷。 3. GaAs的最高工作温度450.硅:250 锗:100 GaP间接跃迁型材料 发
