第13章 结型场效应晶体管 2014-12-15第13章 结型场效应晶体管 n 13.1 JFET概念 n 13.2器件的特性 n 13.3非理想因素 n 13.4等效电路和频率限制 n 13.5高电子迁移率晶体管13.1 JFET概念内容 n 13.1.1 pn JFET基本原理 n 13.1.2 MESFET基本原理 n 结型场效应管分类： n pn JFET n MESFET由肖特基势垒整流接触结制成 所用知识：半导体材料、PN结、肖特基势垒二极管JFET基本概念 n 基本思路：加在金属板上的电压 调制（影响）下面半导体的电导 ，从而实现AB两端的电流控制。 n 场效应：半导体电导被垂直于半 导体表面的电场调制的现象。 n 特点：多子器件，单极型晶体管 。1311 pn-JFET 漏源I-V特性定性分析 n 的形成:（n沟耗尽型） 图3.1对称n沟pn结JFET的横截面 漏源电压在沟道区产生 电场，使多子从源极流 向漏极。13.1.1 pn-JFET 与MOSFET比较 n n 的形成:（n沟耗尽型） 图3.1对称n沟pn结JFET的横截面 厚度几十几 微米 两边夹 结型:大于1
