硅片化学清洗(共4页).doc

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精选优质文档-倾情为你奉上半导体工艺化学实验报告实验名称:硅片的清洗实验目的:1.熟悉清洗设备 2.掌握清洗流程以及清洗前预准备实验设备:1.半导体兆声清洗机(SFQ-1006T) 2.SC-1;SC-2实验背景及原理:清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等,严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等,引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等,会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。我们这里所用的的是化学清洗。清洗对于微米及深亚微米超大规模集成电路的良率有着极大的影响。SC-1及SC-2对于清除颗粒及金属颗粒有着显著的作用。实验步骤:1. 清洗前准备工作:仪器准备:烧杯的清洗、干燥清洗机的预准备:开总闸门、开空气压缩机;开旋转总电源(清

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