精选优质文档-倾情为你奉上第五章 扩散制作PN 结Pfann在1952年提出采用扩散技术改变硅或锗的导电类型的设想参考文献1 W.G.Pfann, Semiconductor Signal Translation Device, U.S. Patent No.2. 597,028(1952)。此后，人们对如何用扩散方法将掺杂剂引进硅中又提出种种设想，其研究目标是如何控制硅中掺杂剂的浓度、均匀性、重复性以及大批量生产过程中如何降低成本。现在，扩散作为一项基础核心技术在半导体元器件制造工艺中得到广泛的应用。我们可以使用下列方法将掺杂剂原子引入硅中：高温下汽相形成的化学源扩散；掺杂氧化物源的扩散；离子注入层的退火与扩散。离子注入层的退火是为了激活注入原子和减少离子注入造成的晶体损伤。当退火在高温下进行时，扩散便同时发生。在集成电路工艺中离子注入有着广泛的应用。扩散研究的另一方面是改进由实验数据而来的扩散模型，从理论分析预测所得到的扩散结果。最终目标是根据工艺参数来计算半导体器件的电特性。扩散理论主要从以下两个方面发展，即Fick扩散方程的连续性理论和
