新型高密度1S1R结构阻变存储器件概述(共20页).docx

精选优质文档-倾情为你奉上新型高密度1S1R结构阻变存储器件概述随着现代半导体工艺的技术进步， Flash 存储器开始遇到技术瓶颈， 新型存 储器应运而生。与其他几种新型的非易失性存储器相比，阻变存储器（ RRAM 或 ReRAM）因其具有结构简单、访问速度快等优势， 成为下一代非易失性存 储器的有力竞争者之一。基于阻变存储器的交叉阵列是阻变存储器实现高密度存储最简单、最有效的方法。而仅由阻变存储单元构成的交叉阵列由于漏电通道而存在误读现象。为了解决误读现象，通常需要在每个存储单元上串联一个选择器构成1S1R结构。对由阻变存储单元和选择器构成的1S1R结构的研究进展进行综述分析是一项有意义的工作，因此本论文主要对1S1R结构的阻变存储器件的研究进展进行概述。关键词：阻变存储器，交叉阵列，选择器，1S1R目 录专心-专注-专业第一章 绪论1.1 阻变存储器1.1.1 RRAM基本结构