模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结(共3页).doc

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资源描述

精选优质文档-倾情为你奉上1、 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性:热敏性、光敏性、掺杂性。2、 本征半导体:完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。3、 在纯净半导体中掺入三价杂质元素,形成P型半导体,空穴为多子,电子为少子。4、 在纯净半导体中掺入五价杂质元素,形成N型半导体,电子为多子、空穴为少子。5、 二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。6、 硅管Uon和Ube:0.5V和0.7V ;锗管约为0.1V和0.3V。7、 稳压管是工作在反向击穿状态的: 加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V,)加反向电压时截止,相当断开。加反向电压并击穿(即满足UUZ)时便稳压为UZ 。8、 二极管主要用途:开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离(门电路)等。9、 三极管的三个区:放大区、截止区、饱和区。三种状态:工作状态、截止状态、饱和状态,放大时在放大状态,开关时在截止、饱和状态。三个极:基极B、发射极E和集电极C。二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都正

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