ICP发射光谱分析目 录 ICP发射光谱分析原理 ICP发射光谱仪的构成 ICP发射光谱分析方法 样品的前处理ICP发射光谱分析原 理 ICP-AES(OES)ICPAtomicEmissionSpectrometry(OpticalEmissionSpectrometry)ICP发射光谱分析法元素分析溶液进样ICP-AES可测定的元素等离子体磁力线高频耦合线圈样品粒子ICP：Inductively Coupled Plasma电感耦合等离子体 等离子体“高温下电离气体（Ionizedgas）”“离子状态”“阳离子和电子数几乎相等” 等离子体的最高温度10000K 元素被激发（发光源）ICP发射光谱分析电感耦合等离子体光源（ICP）等离子体（Plasma）一般指电离度超过0.1%被电离了的气体，这种气体不仅含有中性原子和分子，而且含有大量的电子和离子，且电子和正离子的浓度处于平衡状态，从整体来看是出于中性的。 等离子体光源的分区NAZ-分析区IRZ-初始辐射区PHZ-预热区尾焰9离子发射光谱的产生在等离子体中元素原子化、离子化在等离子体中元素发射特征波长的光ICP发射光谱分析的基本原理
