红光LED结构：从上向下看，n型砷化镓基板、n型AlGaAs(大bandgap材料)、p型活跃层（小bandgap材料），即发光层，决定发光波长，1.42eV，850nm附近，红外范围，可以通过调整Al的含量，使之在红光范围发光；化合物半导体中增加Al，会使bandgap变大， p型AlGaAs (大bandgap材料) ，器件为双异质结构，即小 bandganp材料夹在2个大bandgap材料之间；随后是一层cap layer，介电层，电极。此图是长完累晶层后翻过来的结果，原因：基板是GaAs，1.42eV，发红外光，只要波长短于红外的光，它会吸收所有可见光，造成中间发光层发出的光全部被基板吸掉，至少有一半的光被吸掉，所以要翻过来，在基板上挖个洞，形成top-down方式。大部分LED都是面射型。也是翻过来top-down，InP为基板，1.35eV,也会吸可见光，但图中为红外LED。如何看出红外：InGaAsP：1.33-1.5eV，发光层是narrow bandgap材料，上下2个InP都是large bandgap材料，标准的双异质结，无需再衬底挖洞，让光出来。没有翻过来，没有
