化合物半导体器件Dai Xian-ying化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2013.8化合物半导体器件Dai Xian-ying第二章 化合物半导体材料 与器件基础半导体材料的分类化合物半导体材料的基本特性化合物半导体器件Dai Xian-ying 2.1 半导体材料的分类2.1 半导体的分类绝缘体（1018-1010cm），半导体（108-10-3cm），金属（10-4-10-8cm） 绝缘体（禁带宽度Eg大），半导体（禁带宽度Eg小），金属（导带与价带重叠） 化合物半导体器件Dai Xian-ying 2.1 半导体材料的分类2.1 半导体的分类2.1.1 半导体的特征 室温下的电导率在103-10-8S/cm（或电阻率10-3108cm） 电导率呈正温度特性（金属呈负温度特性） 两种载流子参与导电（金属只有一种） 化合物半导体器件Dai Xian-ying 2.1 半导体材料的分类2.1 半导体的分类2.1.2 半导体的特性 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8，电阻率相应地降
