化合物半导体（六）化合物半导体（六）化合物半导体材料的晶体生长 体材料的气相生长 熔体生长体材料的气相生长( 体材料的物理传输生长)II-VI 族化合物半导体的一种物理气相生长方法这 种过 程常在高真空下进 行，其主要理由是：1）在高真空时 ，在较 低的温度下，待生长 材料即可表现 出可现 的蒸汽压 ；2）减少沾污对 于II-VI 族化合物半导 体，在物理与化学性质 与石英相容的情况下，以石英管作反应 器是十分合适的。一种气相生长CdS 单晶的工艺结晶端加放籽晶的示意图一种生长HgI2水平源温振荡 法的装置和温场 示意图 （GaP 、CuS）气相生长体材料的优缺点优点：1 ）可采取的温度范围十分广阔，对于那些熔点极高的材料，以熔体法生长必然遇到一些相当复杂的甚至无法解决的技术问题，而用气相法就可在相对低的在技术上切实可行的温度来生长这种材料的晶体。2 ）对于那些熔点时离解压很高的材料，有的可以用复杂昂贵的高压晶体生长设备来进行生长，但也有的目前技术水平尚不能解决的，而用气相长晶体则可在相当低的压力下进行晶体生长，相对说来这就安全得多。3 ）鉴于气相生长温度较低，真空技术成熟加之气相生长
