PNPN结的形成及特性结的形成及特性 姓名：姓名：XXXXXX 导师：导师：XXXXXX123目目 录录PNPN结电学性能结电学性能PNPN结的形成结的形成金属金属-半导体接触半导体接触1.1、PN结的形成P-typeN-typeSi晶体1.1、PN结的形成P、N两侧载流子存在浓度差浓度差 多子的扩散带电的空穴：P N带电的电子：N P空穴与电子复合，电离受主与施主不可动 形成空间电荷区 内建电场阻止多子的扩散促进少子的漂移多子扩散少子漂移 动态平衡 形成PN结1.1、PN结的形成1.1、PN结的形成达到热平衡状态时，多子扩散流=少子漂移流平衡PN结的特点： 势垒区内多子的扩散和少子漂移互相平衡； 整个PN结具有统一的费米能级； 能带弯曲 势垒高度。1.2、PN结能带图P NECECEVEVEiEiEAEDEFpEFn接触前P、N型半导体的能带ECEFEVqVDqVD平衡状态下PN结能带图统一的费米能级能带弯曲，形成势能“高坡”2、PN结电学性能正向电流IF1、多子扩散运动少子漂移运动2、多子形成的扩散电流 起支配作用3、少子形成的漂移电流 方向相反，很小，可忽略4、PN结处于导通状态
