微电子工艺基础 第9 章 掺杂技术1微电子工业基础 第9 章 掺杂技术本章目标：1、熟悉掺杂技术的两种方式2、熟悉扩散掺杂的原理3、掌握离子注入相关概念及其原理4、熟悉离子注入的工艺流程5、了解离子注入系统的设备及其优点微电子工业基础 第9 章 掺杂技术一、扩散二、离子注入技术三、集成电路的形成微电子工业基础 第9 章 掺杂技术一、扩散 1 、扩散原理 2 、杂质在硅中的扩散 3 、扩散设备与工艺 4 、工艺质量检测微电子工业基础 第9 章 掺杂技术 一、扩散1 、扩散原理扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺，在约1000 的高温、p型或n型杂质气氛中，杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也叫热扩散。 微电子工艺基础 杂质掺杂所谓杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内。杂质掺杂的实际应用主要是改变半导体的电特性。扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由
