第3章 场效应管及其基本电路 第3章 场效应管及其基本电路31 结型场效应管 32 绝缘栅场效应管(IGFET)33 场效应管的参数和小信号模型34 场效应管放大器第3章 场效应管及其基本电路31结型场效应管 311结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管(JunctionFieldEffectTransistor) 简称JFET ，有N 沟道JFET 和P 沟道JFET 之分。图31给出了JFET 的结构示意图及其表示符号。第3章 场效应管及其基本电路图31结型场效应管的结构示意图及其表示符号(a)N 沟道JFET ；(b)P 沟道JFET第3章 场效应管及其基本电路N 沟道JFET ，是在一根N 型半导体棒两侧通过高浓度扩散制造两个重掺杂P+ 型区，形成两个PN 结，将两个P+ 区接在一起引出一个电极，称为栅极(Gate) ，在两个PN 结之间的N 型半导体构成导电沟道。在N 型半导体的两端各制造一个欧姆接触电极，这两个电极间加上一定电压，便在沟道中形成电场，在此电场作用下，形成由多数载流子自由电子产生的漂移电流。我们将电子发源端称为源极(Source) ，接收端称为漏极(Dra
