第二章 氧 化 2.1、SiO2的结构及性质2.2、SiO2的作用2.3、硅的热氧化生长动力学2.4、决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素2.5、热氧化过程中的杂质再分布2.6、初始氧化阶段以及薄氧化层的生长2.7、Si-SiO2界面特性 SiO2具有良好的化学稳定性和电绝缘性，可用作栅极氧化膜、电绝缘层和电容器的介质膜等； 某些杂质在SiO2中的扩散系数非常小，因此SiO2可以用作遮蔽层。主要内容：2.1、SiO2的结构及性质1.602.27 SiO2按结构特点可以分为结晶形SiO2和无定形SiO2。 SiO2由Si-O四面体组成。 中心是Si原子，四个顶点上是O原子，顶角上的4个O原子正好与Si原子的4个价电子形成共价键。 O-Si-O的键角为109.5；Si-O的距离为1.60，O-O的距离为2.27。 相邻的Si-O四面体是靠Si-O-Si键桥连接。结晶形SiO2由Si-O四面体在空间规则排列构成每个顶角的O原子与两个相邻四面体中心的Si原子形成共价键 无定形SiO2Si-O四面体的空间排列没有规律Si-O-Si键桥的角度不固定，在110-180之间，峰值144 。SiO2
