微纳米加工技术微纳米加工技术 光刻（光学曝光技术） 聚焦离子束加工技术 扫描探针加工技术 自组装纳米加工技术光刻基本介绍 在基底（通常为硅片）表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程 将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。 决定最小特征尺寸。 IC 制程中最重要的模块, 是集成电路中关键的工艺技术最早的构想来源于印刷技术中的照相制版。光刻技术最早于1958 年开始应用，并实现了平面晶体管的制作。如何在硅片上制作微结构？1. 涂胶 1.1 清洗硅片1.2 旋转匀胶 1.3 匀胶后烘2. 曝光 2.1 对准和曝光 2.2 曝光后烘3. 显影3.1 显影3.2 图形检查4. 刻蚀5. 除胶1. 涂胶 1.1 清洗硅片1.2 旋转匀胶 1.3 匀胶后烘2. 曝光 2.1 对准和曝光 2.2 曝光后烘3. 显影3.1 显影3.2 图形检查4. 刻蚀5. 除胶光刻胶膜 使光刻胶中的大部分溶剂蒸发。 溶剂帮助得到薄的光刻胶膜但是吸收光且影响黏附性 曝光后烘时间和温度取决于工艺条件 过烘: 聚合, 光敏性降低 后烘不足: 影响黏附性和曝光1. 涂胶 1.1 清洗硅片1.2 旋转匀胶 1.
