GaAs 半导体材料1 、GaAs 材料的性质和太阳电池 1.1 GaAs 的基本性质 1.2 GaAs 太阳电池2 、 GaAs 单晶体材料 2.1 布里奇曼法制备GaAs 单晶 2.2 液封直拉法制备GaAs 单晶3 、 GaAs 薄膜单晶材料 3.1 液相外延制备GaAs 薄膜单晶 3.2 金属- 有机化学气相沉积外延 3.3 Si 、Ge 衬底上外延制备GaAs 薄膜材料1 、 GaAs 材料的性质和太阳电池1.1 GaAs 材料的性质 GaAs 材料是一种典型的- 族化合物半导体材料。1952 年，H.Welker 首先提出了GaAs 的半导体性质，随后人们在GaAs 材料制备、电子器件、太阳电池等领域开展了深入研究。 1962 年成功研制出了GaAs 半导体激光器，1963 年又发现了耿氏效应，使得GaAs 的研究和应用日益广泛，已经成为目前生产工艺最成熟、应用最广泛的化合物半导体材料，它不仅是仅次于硅材料的微电子材料，而且是主要的光电子材料之一，在太阳电池领域也有一定的应用。晶体结构：GaAs材料的晶体结构属于闪锌矿型晶格结构，如图1.1所示。化学键：四面体键，键角为10
