第二章 作业答案zhouqn2.1、W/L=50/0.5 ，假设|VDS|=3V ，当|VGS| 从0上升到3V 时，画出NFET 和PFET 的漏电流VGS变化曲线解：a) NMOS 管： 假设阈值电压VTH=0.7V, 不考虑亚阈值导电 当VGS0.7V 时， NMOS 管工作在饱和区，NMOS 管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则zhouqna) PMOS 管： 假设阈值电压VTH= -0.8V, 不考虑亚阈值导电 当| VGS | 0.8V 时，PMOS 管工作在截止区，则ID=0 当| VGS | 0.8V 时， PMOS 管工作在饱和区，PMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则zhouqn2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA ，计算NMOS 和PMOS 的跨导和输出阻抗，以及本证增益gmro解：本题忽略侧向扩散LD1）NMOS2）PMOSzhouqn 2.3 导出用ID和W/L 表示的gmro的表达式。画出以L 为参数的gmroID的曲线。注意 L解：zhouqn2.4 分别画出MOS 晶体管的IDVGS曲线。a) 以VDS作为参数；b)
