1、第 5章 单片机存储器扩展存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路，是进一步完善数字系统功能的重要部件。它实际上是将大量存储器按一定规律结合起来的整体。读写存储器又称 随机存储器 。读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称 RAM 。Random Access Memory. . .5.1 随机存取存储器（ RAM） 第 5章 单片机存储器扩展5.1 随机存取存储器（ RAM） RAM 按功能可分为 静态 、 动态 两类RAM 按所用器件又可分为 双极型 和 MOS型 两种1.双极型：由 TTL电路组成基本
2、存储单元，存取速度快。2.MOS型：由 CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、功耗低。1.SRAM：静态 RAM。存储单元使用双稳态触发器，可带电信息可长期保存。2.DRAM: 动态 RAM。使用电容作存储元件，需要刷新电路。集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。第 5章 单片机存储器扩展5.1.1 RAM的电路结构与工作原理W iD D符号1. RAM存储单元(1) 静态 RAM存储单元（位）X：行选择线Y：列选择线5.1 随机存取存储器（ RAM） 5.1.1 RAM的电路结构与工作原理1. RAM存储单元(1) 静态 RAM存储单元（位）(2) 动态 RAM存储单元（位）四管 MO
3、S动态存储单元 电容作存储元件设： C1上充有电荷，且 C1上的电压达到 T1的开启电压，则 T1导通， Q为低电平 0，它使 C2放电，使 C2上的电压为 0，因此 T2截止，为高电平 1，这是存储单元的一个稳定状态，表示存储单元存储了数据 0。 电容有漏电流，需定时刷新。5.1.1 RAM的电路结构与工作原理1. RAM存储单元2. RAM的基本结构存储器容量表示方法： mkXn存储器容量表示方法： mkXn8kX1 ? 数据线： 1地址线： 131kX4 ? 数据线： 4地址线： 105.1.1 RAM的电路结构与工作原理5.1 随机存取存储器（ RAM） 5.1.2 RAM举例6116
4、 容量： ？2kX8 6264 容量： ？8kX85.1.1 RAM的电路结构与工作原理5.1 随机存取存储器（ RAM） 5.1.2 RAM举例5.1.3 RAM存储容量的扩展存储器容量表示方法： mkXn1. 位数的扩展 如：将 2114（ 1K4） 构成 1K 8控制线 、 地址线 并联，数据线 扩展。5.1.3 RAM存储容量的扩展1. 位数的扩展2. 字数的扩展 如：用 2114（ 1K4） 构成 4K 4(1). 访问 4096个单元，必然有 12根地址线；(2). 访问 RAM2114， 只需 10根地址线，尚余 2根地址线 ；(3). 设法用剩余的 2根地址线去控制 4个 2114的片选端 。
