2.4.1分子束外延2.4.2原子束外延2.4.3离子束外延 2.4三束技术与薄膜外延生长最常用的外延方法。即在衬底表面造成生长物原子的过饱和，驱使气相中的生长物原子并入固相，在衬底表面外延生长出晶体薄膜。气相外延的温度通常远低于同种材料块状晶体的生长温度，生长时的过饱和度与块状晶体相比也比较低，这导致外延生长的速率一般情况下远低于块状晶体的生长速率。这一特点决定了其为薄膜制备手段的应用。气相外延薄膜的外延生长n 外延技术半导体器件制造技术n 计算机超大规模集成电路 （核心结构涉及）n 通讯技术电子器件 一层或多层单晶薄膜材料 （依靠外延技术制备）n 外延与晶体生长 相同之处相变过程条件速度 不同之处外延层与衬底不同 （ 衬底提供外延基础的晶体）外延的基本物理过程 1. 表面成核对外延材料结构有最大影响的阶段是生长的最初阶段，这个阶段叫成核。当衬底表面只吸附少量生长物原子时，这些原子是不稳定的，很容易挣脱衬底原子的吸引，离开衬底表面。所以，要想在衬底表面实现外延材料的生长，首先由欲生长材料的原子（或分子）形成原子团，然后这些原子团不断吸收新的原子加入而逐渐长大成晶核。它们再进一步相互结
